A2I08H040GNR1 - IC RF LDMOS AMP

Référence fabricant

A2I08H040GNR1

Numéro de pièce interne

ABC-A2I08H040GNR1

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

IC RF LDMOS AMP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

82720 Pieces

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Spécifications pour A2I08H040GNR1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : A2I08H040GNR1

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : IC RF LDMOS AMP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS (Dual)

La fréquence : 920MHz

Gain : 30.7dB

Tension - Test : 28V

Note actuelle : -

Figure de bruit : -

Courant - Test : 25mA

Puissance - sortie : 9W

Tension - nominale : 65V

Paquet / caisse : TO-270-15 Variant, Gull Wing

Package d'appareils du fournisseur : TO-270WBG-15

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : A2I0 , A2I08H

Documents pour A2I08H040GNR1

Feuilles de données : A2I08H040GNR1.pdf

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