SI3460BDV-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Référence fabricant

SI3460BDV-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI3460BDV-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI3460BDV-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI3460BDV-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI346 , SI3460B

Documents pour SI3460BDV-T1-E3

Feuilles de données : SI3460BDV-T1-E3.pdf

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