RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Référence fabricant

RQ3E180AJTB

Numéro de pièce interne

ABC-RQ3E180AJTB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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quantité disponible

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Spécifications pour RQ3E180AJTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ3E180AJTB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta), 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 11mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 30W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ3 , RQ3E1

Documents pour RQ3E180AJTB

Feuilles de données : RQ3E180AJTB.pdf

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