FDC3601N - MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Référence fabricant

FDC3601N

Numéro de pièce interne

ABC-FDC3601N

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDC3601N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDC3601N

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V

Puissance - Max : 700mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDC3

Documents pour FDC3601N

Feuilles de données : FDC3601N.pdf

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