BUZ73LHXKSA1 - MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

Référence fabricant

BUZ73LHXKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BUZ73LHXKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

52064 Pieces

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Spécifications pour BUZ73LHXKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUZ73LHXKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUZ7 , BUZ73L

Documents pour BUZ73LHXKSA1

Feuilles de données : BUZ73LHXKSA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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