SQM100N10-10_GE3 - MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Référence fabricant

SQM100N10-10_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQM100N10-10_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQM100N10-10_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQM100N10-10_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8050pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 375W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (D2Pak)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQM10 , SQM100N1

Documents pour SQM100N10-10_GE3

Feuilles de données : SQM100N10-10_GE3.pdf

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