SQ1464EEH-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 60V SC-70

Référence fabricant

SQ1464EEH-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQ1464EEH-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN 60V SC-70

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQ1464EEH-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQ1464EEH-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN 60V SC-70

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 440mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 430mW (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQ146 , SQ1464EE

Documents pour SQ1464EEH-T1_GE3

Feuilles de données : SQ1464EEH-T1_GE3.pdf

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