FDT86246L - MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Référence fabricant

FDT86246L

Numéro de pièce interne

ABC-FDT86246L

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDT86246L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDT86246L

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 228 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 335pF @ 75V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223-4

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDT , FDT8

Documents pour FDT86246L

Feuilles de données : FDT86246L.pdf

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