DMG4N60SCT - MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Référence fabricant

DMG4N60SCT

Numéro de pièce interne

ABC-DMG4N60SCT

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DMG4N60SCT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMG4N60SCT

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 532pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 113W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMG , DMG4N

Documents pour DMG4N60SCT

Feuilles de données : DMG4N60SCT.pdf

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