MURT10010R - DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Référence fabricant

MURT10010R

Numéro de pièce interne

ABC-MURT10010R

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

34144 Pieces

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Spécifications pour MURT10010R

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MURT10010R

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Anode

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 100A (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 50A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 75ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 25µA @ 50V

Température de fonctionnement - Jonction : -

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Three Tower

Package d'appareils du fournisseur : Three Tower

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MUR , MURT1

Documents pour MURT10010R

Feuilles de données : MURT10010R.pdf

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