BYC30W-1200PQ - DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

Référence fabricant

BYC30W-1200PQ

Numéro de pièce interne

ABC-BYC30W-1200PQ

Fabricant

WeEn Semiconductors

Brève description

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BYC30W-1200PQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYC30W-1200PQ

Fabricant : WeEn Semiconductors

La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 30A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 3.3V @ 30A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 65ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 250µA @ 1200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-247-2

Package d'appareils du fournisseur : TO-247-2

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYC3 , BYC30W

Documents pour BYC30W-1200PQ

Feuilles de données : BYC30W-1200PQ.pdf

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