1N4448 - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Référence fabricant

1N4448

Numéro de pièce interne

ABC-1N4448

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour 1N4448

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N4448

Fabricant : ON Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 75V

Capacité @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial

Package d'appareils du fournisseur : DO-35

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N , 1N4

Documents pour 1N4448

Feuilles de données : 1N4448.pdf

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