SI5517DU-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Référence fabricant

SI5517DU-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI5517DU-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI5517DU-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI5517DU-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V

Puissance - Max : 8.3W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® ChipFet Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI551 , SI5517D

Documents pour SI5517DU-T1-GE3

Feuilles de données : SI5517DU-T1-GE3.pdf

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