RJK6032DPH-E0#T2 - MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Référence fabricant

RJK6032DPH-E0#T2

Numéro de pièce interne

ABC-RJK6032DPH-E0#T2

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1278312 Pieces

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Spécifications pour RJK6032DPH-E0#T2

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RJK6032DPH-E0#T2

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Séries : -

Statut de la pièce : Last Time Buy

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 285pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40.3W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-251

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RJK60 , RJK6032D

Documents pour RJK6032DPH-E0#T2

Feuilles de données : RJK6032DPH-E0#T2.pdf

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