70T3339S200BCG - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Référence fabricant

70T3339S200BCG

Numéro de pièce interne

ABC-70T3339S200BCG

Fabricant

IDT, Integrated Device Technology Inc

Brève description

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

34221 Pieces

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Spécifications pour 70T3339S200BCG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 70T3339S200BCG

Fabricant : IDT, Integrated Device Technology Inc

La description : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : SRAM

La technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Taille mémoire : 9Mb (512K x 18)

Fréquence d'horloge : 200MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : 3.4ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 2.4V ~ 2.6V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 256-LBGA

Package d'appareils du fournisseur : 256-CABGA (17x17)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 70T3 , 70T3339

Documents pour 70T3339S200BCG

Feuilles de données : 70T3339S200BCG.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
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WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
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