S1GHE3/5AT - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Référence fabricant

S1GHE3/5AT

Numéro de pièce interne

ABC-S1GHE3/5AT

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour S1GHE3/5AT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : S1GHE3/5AT

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 400V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 1.8µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 400V

Capacité @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AC, SMA

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : S1G , S1GHE

Documents pour S1GHE3/5AT

Feuilles de données : S1GHE3/5AT.pdf

Produits associés pour S1GHE3/5AT Vishay Semiconductor Diodes Division

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