JAN1N3909R - DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB

Référence fabricant

JAN1N3909R

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N3909R

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

30804 Pieces

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Spécifications pour JAN1N3909R

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N3909R

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 50V 50A DO203AB

Séries : Military, MIL-PRF-19500/308

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 50A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.4V @ 50A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 150ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 15µA @ 50V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Stud Mount

Paquet / caisse : DO-203AB, DO-5, Stud

Package d'appareils du fournisseur : DO-203AB (DO-5)

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN , JAN1N

Documents pour JAN1N3909R

Feuilles de données : JAN1N3909R.pdf

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