EPC2023 - GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

Référence fabricant

EPC2023

Numéro de pièce interne

ABC-EPC2023

Fabricant

EPC

Brève description

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

166432 Pieces

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Spécifications pour EPC2023

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : EPC2023

Fabricant : EPC

La description : GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

Séries : eGaN®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 40A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 20mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : -

Température de fonctionnement : -

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Die

Paquet / caisse : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : EP , EPC

Documents pour EPC2023

Feuilles de données : EPC2023.pdf

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