1N5282 - DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Référence fabricant

1N5282

Numéro de pièce interne

ABC-1N5282

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

26397168 Pieces

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Spécifications pour 1N5282

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N5282

Fabricant : ON Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 900mV @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 55V

Capacité @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial

Package d'appareils du fournisseur : DO-35

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N , 1N5

Documents pour 1N5282

Feuilles de données : 1N5282.pdf

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