SQD10N30-330H_GE3 - MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Référence fabricant

SQD10N30-330H_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQD10N30-330H_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQD10N30-330H_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQD10N30-330H_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 300V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 107W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252AA

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQD10 , SQD10N30

Documents pour SQD10N30-330H_GE3

Feuilles de données : SQD10N30-330H_GE3.pdf

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