FQAF19N20L - MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF

Référence fabricant

FQAF19N20L

Numéro de pièce interne

ABC-FQAF19N20L

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FQAF19N20L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQAF19N20L

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 85W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3PF

Paquet / caisse : TO-3P-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQA , FQAF1

Documents pour FQAF19N20L

Feuilles de données : FQAF19N20L.pdf

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