IRFB4229PBF - MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

Référence fabricant

IRFB4229PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFB4229PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IRFB4229PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFB4229PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 250V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 46A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 330W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRFB4

Documents pour IRFB4229PBF

Feuilles de données : IRFB4229PBF.pdf

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