APTM60H23FT1G - MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Référence fabricant

APTM60H23FT1G

Numéro de pièce interne

ABC-APTM60H23FT1G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

80352 Pieces

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Spécifications pour APTM60H23FT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM60H23FT1G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V

Puissance - Max : 208W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP1

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM , APTM60

Documents pour APTM60H23FT1G

Feuilles de données : APTM60H23FT1G.pdf

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