IRF6714MTRPBF - MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Référence fabricant

IRF6714MTRPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF6714MTRPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRF6714MTRPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF6714MTRPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 29A (Ta), 166A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3890pF @ 13V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MX

Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MX

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF6 , IRF671

Documents pour IRF6714MTRPBF

Feuilles de données : IRF6714MTRPBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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