DMN63D8LDW-13 - MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Référence fabricant

DMN63D8LDW-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMN63D8LDW-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMN63D8LDW-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN63D8LDW-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 870nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V

Puissance - Max : 300mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN6 , DMN63D

Documents pour DMN63D8LDW-13

Feuilles de données : DMN63D8LDW-13.pdf

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