TK8R2A06PL,S4X - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Référence fabricant

TK8R2A06PL,S4X

Numéro de pièce interne

ABC-TK8R2A06PL,S4X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour TK8R2A06PL,S4X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK8R2A06PL,S4X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Séries : U-MOSIX-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 300µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1990pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 36W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK8R , TK8R2A0

Documents pour TK8R2A06PL,S4X

Feuilles de données : TK8R2A06PL,S4X.pdf

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