FCH190N65F-F085 - MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Référence fabricant

FCH190N65F-F085

Numéro de pièce interne

ABC-FCH190N65F-F085

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FCH190N65F-F085

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FCH190N65F-F085

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Séries : Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3181pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 208W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FCH19 , FCH190N

Documents pour FCH190N65F-F085

Feuilles de données : FCH190N65F-F085.pdf

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