STH275N8F7-6AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Référence fabricant

STH275N8F7-6AG

Numéro de pièce interne

ABC-STH275N8F7-6AG

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STH275N8F7-6AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STH275N8F7-6AG

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Séries : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 315W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : H2PAK-6

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STH2 , STH275N

Documents pour STH275N8F7-6AG

Feuilles de données : STH275N8F7-6AG.pdf

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