FDI045N10A - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Référence fabricant

FDI045N10A

Numéro de pièce interne

ABC-FDI045N10A

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDI045N10A

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDI045N10A

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 263W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDI , FDI04

Documents pour FDI045N10A

Feuilles de données : FDI045N10A.pdf

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