IPP80P03P405AKSA1 - MOSFET P-CH TO220-3

Référence fabricant

IPP80P03P405AKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-IPP80P03P405AKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH TO220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

93216 Pieces

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Spécifications pour IPP80P03P405AKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP80P03P405AKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH TO220-3

Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 253µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 137W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP80 , IPP80P03

Documents pour IPP80P03P405AKSA1

Feuilles de données : IPP80P03P405AKSA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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