MT47H256M8EB-25E:C - IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Référence fabricant

MT47H256M8EB-25E:C

Numéro de pièce interne

ABC-MT47H256M8EB-25E:C

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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75712 Pieces

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Spécifications pour MT47H256M8EB-25E:C

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT47H256M8EB-25E:C

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR2

Taille mémoire : 2Gb (256M x 8)

Fréquence d'horloge : 400MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 400ps

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 60-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (9x11.5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT47H2 , MT47H256M

Documents pour MT47H256M8EB-25E:C

Feuilles de données : MT47H256M8EB-25E:C.pdf

Produits associés pour MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3300PF 100V BX 0805.
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MC04YC223KAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 16KV SCREW.