IR2112-1PBF - IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-IR2112-1PBF
Fabricant
Brève description
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour IR2112-1PBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IR2112-1PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH : 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 250mA, 500mA
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 600V
Temps de montée / descente (type) : 80ns, 40ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads
Package d'appareils du fournisseur : 14-PDIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IR2112-1PBF
Feuilles de données : IR2112-1PBF.pdf
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