1N5620US - DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Référence fabricant

1N5620US

Numéro de pièce interne

ABC-1N5620US

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

89864 Pieces

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Spécifications pour 1N5620US

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N5620US

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 3A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 2µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 800V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SQ-MELF, A

Package d'appareils du fournisseur : D-5A

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 200°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N , 1N56

Documents pour 1N5620US

Feuilles de données : 1N5620US.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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