STD19N3LLH6AG - MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

Référence fabricant

STD19N3LLH6AG

Numéro de pièce interne

ABC-STD19N3LLH6AG

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour STD19N3LLH6AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STD19N3LLH6AG

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

Séries : Automotive, AEC-Q101, STripFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 321pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STD1 , STD19N

Documents pour STD19N3LLH6AG

Feuilles de données : STD19N3LLH6AG.pdf

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