SSM6L35FU(TE85L,F) - MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

Référence fabricant

SSM6L35FU(TE85L,F)

Numéro de pièce interne

ABC-SSM6L35FU(TE85L,F)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SSM6L35FU(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM6L35FU(TE85L,F)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.2V Drive

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA, 100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V

Puissance - Max : 200mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : US6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM6L3 , SSM6L35FU

Documents pour SSM6L35FU(TE85L,F)

Feuilles de données : SSM6L35FU(TE85L,F).pdf

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