RD0106T-H - DIODE GEN PURP 600V 1A TP

Référence fabricant

RD0106T-H

Numéro de pièce interne

ABC-RD0106T-H

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 1A TP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

72064 Pieces

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Spécifications pour RD0106T-H

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RD0106T-H

Fabricant : ON Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 600V 1A TP

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareils du fournisseur : TP

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RD0 , RD01

Documents pour RD0106T-H

Feuilles de données : RD0106T-H.pdf

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