IRG7CH50K10EF - IGBT CHIP WAFER

Référence fabricant

IRG7CH50K10EF

Numéro de pièce interne

ABC-IRG7CH50K10EF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

IGBT CHIP WAFER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

175656 Pieces

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Spécifications pour IRG7CH50K10EF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRG7CH50K10EF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : IGBT CHIP WAFER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : Trench Field Stop

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 35A

Courant - collecteur pulsé (Icm) : -

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A

Puissance - Max : -

Énergie de commutation : -

Type d'entrée : Standard

Charge de la porte : 170nC

Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 50ns/280ns

Condition de test : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V

Temps de récupération inverse (trr) : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Die

Package d'appareils du fournisseur : Die

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRG7 , IRG7CH

Documents pour IRG7CH50K10EF

Feuilles de données : IRG7CH50K10EF.pdf

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