GSID200A170S3B1 - SILICON IGBT MODULES

Référence fabricant

GSID200A170S3B1

Numéro de pièce interne

ABC-GSID200A170S3B1

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

SILICON IGBT MODULES

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

33660 Pieces

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Spécifications pour GSID200A170S3B1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GSID200A170S3B1

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : SILICON IGBT MODULES

Séries : Amp+™

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : -

Configuration : 2 Independent

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 400A

Puissance - Max : 1630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 26nF @ 25V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : No

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : D-3 Module

Package d'appareils du fournisseur : D3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GSID2 , GSID200

Documents pour GSID200A170S3B1

Feuilles de données : GSID200A170S3B1.pdf

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