JAN1N1186 - DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Référence fabricant

JAN1N1186

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N1186

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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51456 Pieces

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Spécifications pour JAN1N1186

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N1186

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Séries : Military, MIL-PRF-19500/297

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 35A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.4V @ 110A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Chassis, Stud Mount

Paquet / caisse : DO-203AB, DO-5, Stud

Package d'appareils du fournisseur : DO-5

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN , JAN1

Documents pour JAN1N1186

Feuilles de données : JAN1N1186.pdf

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