UGB8JT-E3/81 - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Référence fabricant

UGB8JT-E3/81

Numéro de pièce interne

ABC-UGB8JT-E3/81

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour UGB8JT-E3/81

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : UGB8JT-E3/81

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.75V @ 8A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 30µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : UGB8 , UGB8JT

Documents pour UGB8JT-E3/81

Feuilles de données : UGB8JT-E3/81.pdf

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