DMG4710SSS-13 - MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

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MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMG4710SSS-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG4710SSS-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1849pF @ 15V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) : 1.54W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG4 , DMG471

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Feuilles de données : DMG4710SSS-13.pdf

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