BAP1321LX,315 - RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN

Référence fabricant

BAP1321LX,315

Numéro de pièce interne

ABC-BAP1321LX,315

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

85797 Pieces

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Spécifications pour BAP1321LX,315

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BAP1321LX,315

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : PIN - Single

Tension - Inverse de crête (Max) : 60V

Courant - Max : 100mA

Capacité @ Vr, F : 0.28pF @ 20V, 1MHz

Résistance @ Si, F : 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz

Dissipation de puissance (max) : 130mW

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Paquet / caisse : 2-XDFN

Package d'appareils du fournisseur : 2-DFN1006D (0.6x1.0)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BAP1 , BAP132

Documents pour BAP1321LX,315

Feuilles de données : BAP1321LX,315.pdf

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