NTLJS2103PTBG - MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Référence fabricant

NTLJS2103PTBG

Numéro de pièce interne

ABC-NTLJS2103PTBG

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTLJS2103PTBG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTLJS2103PTBG

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Séries : µCool™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1157pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WDFN (2x2)

Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTLJ , NTLJS2

Documents pour NTLJS2103PTBG

Feuilles de données : NTLJS2103PTBG.pdf

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