TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Référence fabricant

TPS1101DR

Numéro de pièce interne

ABC-TPS1101DR

Fabricant

T-I

Brève description

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour TPS1101DR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPS1101DR

Fabricant : T-I

La description : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 15V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.3A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs (Max) : +2V, -15V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 791mW (Ta)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPS , TPS1

Documents pour TPS1101DR

Feuilles de données : TPS1101DR.pdf

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