SQ1912AEEH-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

Référence fabricant

SQ1912AEEH-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQ1912AEEH-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQ1912AEEH-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQ1912AEEH-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.25nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 27pF @ 10V

Puissance - Max : 1.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQ191 , SQ1912AE

Documents pour SQ1912AEEH-T1_GE3

Feuilles de données : SQ1912AEEH-T1_GE3.pdf

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