FDS3912 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Référence fabricant

FDS3912

Numéro de pièce interne

ABC-FDS3912

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDS3912

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDS3912

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 632pF @ 50V

Puissance - Max : 900mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDS

Documents pour FDS3912

Feuilles de données : FDS3912.pdf

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