JAN1N5807URS - DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-JAN1N5807URS
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour JAN1N5807URS
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JAN1N5807URS
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Séries : Military, MIL-PRF-19500/477
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 3A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 875mV @ 4A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 50V
Capacité @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SQ-MELF, B
Package d'appareils du fournisseur : B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour JAN1N5807URS
Feuilles de données : JAN1N5807URS.pdf
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