GP1M010A080N - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Référence fabricant

GP1M010A080N

Numéro de pièce interne

ABC-GP1M010A080N

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

83808 Pieces

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Spécifications pour GP1M010A080N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GP1M010A080N

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 900V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2336pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 312W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3PN

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GP1M , GP1M01

Documents pour GP1M010A080N

Feuilles de données : GP1M010A080N.pdf

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