RD3L080SNTL1 - NCH 60V 8A POWER MOSFET

Référence fabricant

RD3L080SNTL1

Numéro de pièce interne

ABC-RD3L080SNTL1

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

NCH 60V 8A POWER MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1688106 Pieces

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Spécifications pour RD3L080SNTL1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RD3L080SNTL1

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : NCH 60V 8A POWER MOSFET

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 15W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RD3L , RD3L08

Documents pour RD3L080SNTL1

Feuilles de données : RD3L080SNTL1.pdf

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