TK4P55DA(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Référence fabricant

TK4P55DA(T6RSS-Q)

Numéro de pièce interne

ABC-TK4P55DA(T6RSS-Q)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour TK4P55DA(T6RSS-Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK4P55DA(T6RSS-Q)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Séries : π-MOSVII

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 550V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.45 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 80W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-Pak

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK4P5 , TK4P55DA

Documents pour TK4P55DA(T6RSS-Q)

Feuilles de données : TK4P55DA(T6RSS-Q).pdf

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